Kopen DMN63D8LDW-7 met BYCHPS
Koop met garantie
DMN63D8LDW-7
- Onderdeel nummer:
- DMN63D8LDW-7
- Fabrikant:
- Diodes Incorporated
- Beschrijving:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 17407 Pieces
- Data papier:
- DMN63D8LDW-7.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor DMN63D8LDW-7, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor DMN63D8LDW-7 per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Leverancier Device Pakket: | SOT-363 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 2.8 Ohm @ 250mA, 10V |
| Vermogen - Max: | 300mW |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Andere namen: | DMN63D8LDW-7TR DMN63D8LDW7 |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Standaard Levertijd: | 8 Weeks |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | DMN63D8LDW-7 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 22pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 870nC @ 10V |
| FET Type: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Uitgebreide beschrijving: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363 |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 30V |
| Beschrijving: | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 220mA |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor DMN63D8LDW-7
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN63D8LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | Onderzoek |
 |
DMN63D1LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363 | Onderzoek |
|
DMN63D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23 | Onderzoek |
 |
DMN63D8LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323 | Onderzoek |
|
DMN63D8LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323 | Onderzoek |
|
DMN63D1LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323 | Onderzoek |
|
DMN63D8L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23 | Onderzoek |
 |
DMN63D0LT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SOT523 | Onderzoek |
 |
DMN63D8LV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 | Onderzoek |
|
DMN63D1LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323 | Onderzoek |
|
DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog