Kopen EPC2021ENG met BYCHPS
Koop met garantie
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 14mA |
|---|---|
| Technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Leverancier Device Pakket: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
| Vermogensverlies (Max): | - |
| Packaging: | Tray |
| Verpakking / doos: | Die |
| Andere namen: | 917-EPC2021ENG EPC2021ENGRB3 |
| Temperatuur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Standaard Levertijd: | 22 Weeks |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | EPC2021ENG |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 80V |
| Beschrijving: | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 60A (Ta) |
| Email: | [email protected] |