EPC8003ENGR
EPC8003ENGR
Onderdeel nummer:
EPC8003ENGR
Fabrikant:
EPC
Beschrijving:
TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Leid Free Status / RoHS Status:
Loodvrij / RoHS-conform
beschikbare kwaliteit:
17538 Pieces
Data papier:
1.EPC8003ENGR.pdf2.EPC8003ENGR.pdf

Invoering

BYCHIPS is de voorraadverdeler voor EPC8003ENGR, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor EPC8003ENGR per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
Kopen EPC8003ENGR met BYCHPS
Koop met garantie

bestek

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Leverancier Device Pakket:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, VGS:300 mOhm @ 500mA, 5V
Vermogensverlies (Max):-
Packaging:Tray
Verpakking / doos:Die
Andere namen:917-EPC8003ENGR
EPC8003ENGK
Temperatuur:-40°C ~ 125°C (TJ)
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikant Onderdeelnummer:EPC8003ENGR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:38pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.32nC @ 5V
FET Type:N-Channel
FET Feature:-
Uitgebreide beschrijving:N-Channel 100V 2.5A (Ta) Surface Mount Die
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):100V
Beschrijving:TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments