STB7NK80Z-1
STB7NK80Z-1
Onderdeel nummer:
STB7NK80Z-1
Fabrikant:
ST
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Leid Free Status / RoHS Status:
Loodvrij / RoHS-conform
beschikbare kwaliteit:
14847 Pieces
Data papier:
STB7NK80Z-1.pdf

Invoering

BYCHIPS is de voorraadverdeler voor STB7NK80Z-1, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor STB7NK80Z-1 per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
Kopen STB7NK80Z-1 met BYCHPS
Koop met garantie

bestek

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 100µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Leverancier Device Pakket:I2PAK
Serie:SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Vermogensverlies (Max):125W (Tc)
Packaging:Tube
Verpakking / doos:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere namen:497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND
Temperatuur:-55°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:Through Hole
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikant Standaard Levertijd:18 Weeks
Fabrikant Onderdeelnummer:STB7NK80Z-1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:1138pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET Feature:-
Uitgebreide beschrijving:N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):800V
Beschrijving:MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:5.2A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments