| Beeld |
Onderdeel nummer |
fabrikanten |
Beschrijving |
Uitzicht |
 |
AFT09S282NR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 960MHZ OM-780-2 |
Onderzoek |
|
MRF6S27050HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.62GHZ NI-780S |
Onderzoek |
 |
PXAC201202FCV2R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37248-4 |
Onderzoek |
 |
BLF7G24L-140,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A |
Onderzoek |
 |
MRF7S38075HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 3.6GHZ NI-780 |
Onderzoek |
 |
MRF8S9260HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 960MHZ NI-880H |
Onderzoek |
|
ON5448,518 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF 64QFP |
Onderzoek |
 |
2735GN-35M |
Microsemi Corporation |
FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP |
Onderzoek |
|
ON5450,518 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF 64QFP |
Onderzoek |
|
MRF6S9160HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ NI-780S |
Onderzoek |
 |
CGHV40050F |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 150V 4GHZ 440193 |
Onderzoek |
 |
BF512,215 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 20V 30MA SOT23 |
Onderzoek |
 |
MRF8P8300HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S |
Onderzoek |
 |
PTFA191001EV4XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 |
Onderzoek |
|
PTFB211501EV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-36248-2 |
Onderzoek |
|
PTFA181001GL V1 R250 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 |
Onderzoek |
|
MRF5S21150HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S |
Onderzoek |
 |
BLF177,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET NCHA 125V 19DB SOT121B |
Onderzoek |
|
MRF7S21170HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 |
Onderzoek |
 |
MRF5S9080NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 960MHZ TO-270-4 |
Onderzoek |
 |
BF1208,115 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 |
Onderzoek |
 |
BLC9G20LS-470AVTZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583 |
Onderzoek |
|
MRF21045LR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-400 |
Onderzoek |
 |
A2I20H060NR1 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
Onderzoek |
|
MRF6P3300HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 |
Onderzoek |
|
PXAC203302FVV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
Onderzoek |
 |
BLP05H6350XRGY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 |
Onderzoek |
 |
BF245C |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 25MA TO92 |
Onderzoek |
 |
ATF-511P8-TR1 |
Broadcom Limited |
FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC |
Onderzoek |
 |
BF909,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 |
Onderzoek |
 |
CGHV96050F1 |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 100V 9.6GHZ 440210 |
Onderzoek |
 |
MRFG35020AR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.5GHZ NI-360 |
Onderzoek |
 |
BLF574XRS,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B |
Onderzoek |
 |
J309G |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 30MA TO92 |
Onderzoek |
 |
MRF6VP2600HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 |
Onderzoek |
 |
MMRF1312HR5 |
NXP USA Inc. |
TRANS 900-1215MHZ 1000W 52V |
Onderzoek |
 |
PD57006S-E |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
Onderzoek |
|
BF1202,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B |
Onderzoek |
|
MPF102 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 20MA TO92 |
Onderzoek |
 |
BLS7G3135L-350P,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A |
Onderzoek |
 |
BLF6G38LS-50,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B |
Onderzoek |
 |
SD57045 |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ M243 |
Onderzoek |
 |
VRF151G |
Microsemi Corporation |
MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208 |
Onderzoek |
 |
AFG24S100HR5 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
Onderzoek |
|
PTFC261402FCV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
Onderzoek |
 |
BLP8G27-5Z |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN |
Onderzoek |
|
BF909R,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 |
Onderzoek |
 |
STAC4933 |
STMicroelectronics |
MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B |
Onderzoek |
 |
BLC8G27LS-210PVZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 |
Onderzoek |
|
MRF5S19100HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S |
Onderzoek |
