Kopen FQU2N100TU met BYCHPS
Koop met garantie
VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverancier Device Pakket: | I-Pak |
Serie: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 9 Ohm @ 800mA, 10V |
Vermogensverlies (Max): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Packaging: | Tube |
Verpakking / doos: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
montage Type: | Through Hole |
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikant Standaard Levertijd: | 19 Weeks |
Fabrikant Onderdeelnummer: | FQU2N100TU |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 520pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 1000V (1kV) 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-Pak |
Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 1000V (1kV) |
Beschrijving: | MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 1.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |