Kopen GP1M003A090PH met BYCHPS
Koop met garantie
GP1M003A090PH
- Onderdeel nummer:
- GP1M003A090PH
- Fabrikant:
- Global Power Technologies Group
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 16866 Pieces
- Data papier:
- GP1M003A090PH.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor GP1M003A090PH, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor GP1M003A090PH per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | I-Pak |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V |
| Vermogensverlies (Max): | 94W (Tc) |
| Packaging: | Tube |
| Verpakking / doos: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere namen: | 1560-1158-1 1560-1158-1-ND |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Through Hole |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | GP1M003A090PH |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 748pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 900V |
| Beschrijving: | MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor GP1M003A090PH
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M003A080CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | Onderzoek |
 |
GP1M003A040PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK | Onderzoek |
 |
GP1M003A090C | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK | Onderzoek |
|
GP1M003A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK | Onderzoek |
 |
GP1M003A050FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F | Onderzoek |
 |
GP1M003A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220 | Onderzoek |
|
GP1M003A080PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | Onderzoek |
|
GP1M003A050CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | Onderzoek |
|
GP1M003A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK | Onderzoek |
|
GP1M003A050HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 | Onderzoek |
|
GP1M003A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog