Kopen IPB05N03LB G met BYCHPS
Koop met garantie
IPB05N03LB G
- Onderdeel nummer:
- IPB05N03LB G
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 12797 Pieces
- Data papier:
- IPB05N03LB G.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor IPB05N03LB G, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor IPB05N03LB G per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 40µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 5 mOhm @ 60A, 10V |
| Vermogensverlies (Max): | 94W (Tc) |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere namen: | IPB05N03LB G-ND IPB05N03LBGINTR IPB05N03LBGXT SP000103303 |
| Temperatuur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | IPB05N03LB G |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 3209pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 5V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 30V 80A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 30V |
| Beschrijving: | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor IPB05N03LB G
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB05N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | Onderzoek |
|
IPB055N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | Onderzoek |
|
IPB05N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Onderzoek |
|
IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | Onderzoek |
|
IPB05N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | Onderzoek |
|
IPB05N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | Onderzoek |
|
IPB054N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | Onderzoek |
|
IPB05CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | Onderzoek |
|
IPB052N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3 | Onderzoek |
|
IPB054N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | Onderzoek |
|
IPB057N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3 | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog