Nederland
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Over ons | Neem contact met ons op | Een citaat aanvragen |
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > IPB17N25S3100ATMA1
IPB17N25S3100ATMA1
IPB17N25S3100ATMA1
Onderdeel nummer:
IPB17N25S3100ATMA1
Fabrikant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschrijving:
MOSFET N-CH TO263-3
Leid Free Status / RoHS Status:
Loodvrij / RoHS-conform
beschikbare kwaliteit:
17950 Pieces
Data papier:
IPB17N25S3100ATMA1.pdf
Onderzoek

Invoering

BYCHIPS is de voorraadverdeler voor IPB17N25S3100ATMA1, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor IPB17N25S3100ATMA1 per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
Kopen IPB17N25S3100ATMA1 met BYCHPS
Koop met garantie

bestek

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 54µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Leverancier Device Pakket:PG-TO263-3-2
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 17A, 10V
Vermogensverlies (Max):107W (Tc)
Packaging:Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere namen:SP000876560
Temperatuur:-55°C ~ 175°C (TJ)
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikant Standaard Levertijd:14 Weeks
Fabrikant Onderdeelnummer:IPB17N25S3100ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET Feature:-
Uitgebreide beschrijving:N-Channel 250V 17A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):250V
Beschrijving:MOSFET N-CH TO263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments

Verwante onderdelen voor IPB17N25S3100ATMA1

Beeld Onderdeel nummer fabrikanten Beschrijving Uitzicht
SI7462DP-T1-E3 Image SI7462DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8 Onderzoek
SI4390DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC Onderzoek
FQB46N15TM_AM002 Image FQB46N15TM_AM002 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK Onderzoek
IXFN48N55 Image IXFN48N55 IXYS MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B Onderzoek
IXTN30N100L Image IXTN30N100L IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227 Onderzoek
SIA443DJ-T1-GE3 Image SIA443DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 Onderzoek
RZY200P01TL Image RZY200P01TL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3 Onderzoek
STD5NK50Z-1 Image STD5NK50Z-1 STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK Onderzoek
CSD19536KTTT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Onderzoek
STP14NK60ZFP Image STP14NK60ZFP STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-220FP Onderzoek
AUIRFR4105ZTRL Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Onderzoek
CSD17306Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Onderzoek
IXTN90P20P Image IXTN90P20P IXYS MOSFET P-CH 200V 90A SOT227 Onderzoek
APT44F80B2 Image APT44F80B2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX Onderzoek
NTNS3166NZT5G Image NTNS3166NZT5G ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883 Onderzoek
BSP92P E6327 Image BSP92P E6327 Infineon Technologies MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 Onderzoek
IXFQ50N60P3 Image IXFQ50N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 50A TO3P Onderzoek
PH7630DLX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V LFPAK Onderzoek
IRFB4510PBF Image IRFB4510PBF Infineon Technologies MOSFET N CH 100V 62A TO220AB Onderzoek
IPD220N06L3GBTMA1 Image IPD220N06L3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 Onderzoek

Latest Nieuws