Kopen IPP60R099C7XKSA1 met BYCHPS
Koop met garantie
IPP60R099C7XKSA1
- Onderdeel nummer:
- IPP60R099C7XKSA1
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 13867 Pieces
- Data papier:
- IPP60R099C7XKSA1.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor IPP60R099C7XKSA1, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor IPP60R099C7XKSA1 per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 490µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | PG-TO220-3-1 |
| Serie: | CoolMOS™ C7 |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 99 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Vermogensverlies (Max): | 110W (Tc) |
| Packaging: | Tube |
| Verpakking / doos: | TO-220-3 |
| Andere namen: | SP001298000 |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Through Hole |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Standaard Levertijd: | 20 Weeks |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | IPP60R099C7XKSA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 1819pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 600V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan): | 10V |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 600V |
| Beschrijving: | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor IPP60R099C7XKSA1
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO-220 | Onderzoek |
|
IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Onderzoek |
 |
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 | Onderzoek |
|
IPP60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | Onderzoek |
|
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 | Onderzoek |
|
IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 | Onderzoek |
|
IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220 | Onderzoek |
|
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 | Onderzoek |
|
IPP60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Onderzoek |
|
IPP60R190P6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog