Kopen IPP65R190CFDAAKSA1 met BYCHPS
Koop met garantie
IPP65R190CFDAAKSA1
- Onderdeel nummer:
- IPP65R190CFDAAKSA1
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 650V TO-220-3
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 16145 Pieces
- Data papier:
- IPP65R190CFDAAKSA1.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor IPP65R190CFDAAKSA1, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor IPP65R190CFDAAKSA1 per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 700µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | PG-TO-220-3 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Vermogensverlies (Max): | 151W (Tc) |
| Packaging: | Tube |
| Verpakking / doos: | TO-220-3 |
| Andere namen: | SP000928266 |
| Temperatuur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Through Hole |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Standaard Levertijd: | 16 Weeks |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | IPP65R190CFDAAKSA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 650V |
| Beschrijving: | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 17.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor IPP65R190CFDAAKSA1
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | Onderzoek |
|
IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | Onderzoek |
|
IPP65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | Onderzoek |
|
IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | Onderzoek |
|
IPP65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 | Onderzoek |
|
IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | Onderzoek |
|
IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3 | Onderzoek |
|
IPP65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 | Onderzoek |
|
IPP65R150CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | Onderzoek |
|
IPP65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 | Onderzoek |
|
IPP65R110CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | Onderzoek |
|
IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO220 | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog