Kopen NE3503M04-T2B-A met BYCHPS
Koop met garantie
NE3503M04-T2B-A
- Onderdeel nummer:
- NE3503M04-T2B-A
- Fabrikant:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Beschrijving:
- FET RF 4V 12GHZ M04
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 17951 Pieces
- Data papier:
- NE3503M04-T2B-A.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor NE3503M04-T2B-A, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor NE3503M04-T2B-A per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| Voltage - Test: | 2V |
|---|---|
| Spanning - Nominale: | 4V |
| transistor Type: | HFET |
| Leverancier Device Pakket: | M04 |
| Serie: | - |
| Vermogen: | - |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | 4-SMD, Flat Leads |
| ruisgetal: | 0.45dB |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | NE3503M04-T2B-A |
| Krijgen: | 12dB |
| Frequentie: | 12GHz |
| Uitgebreide beschrijving: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04 |
| Beschrijving: | FET RF 4V 12GHZ M04 |
| Huidige score: | 70mA |
| Current - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor NE3503M04-T2B-A
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G38-10,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975B | Onderzoek |
 |
PTFA212401E V4 R250 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | Onderzoek |
 |
NE3503M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | Onderzoek |
 |
ATF-52189-TR2 | Broadcom Limited | FET RF 7V 2GHZ SOT-89 | Onderzoek |
|
NE3503M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | Onderzoek |
 |
PD85035S-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | Onderzoek |
|
NE3509M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | Onderzoek |
 |
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | Onderzoek |
|
NE3508M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | Onderzoek |
|
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | Onderzoek |
 |
BLC8G27LS-210PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | Onderzoek |
 |
BF1208D,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666 | Onderzoek |
|
NE3508M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | Onderzoek |
 |
BLC8G27LS-160AVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog