Kopen NE3512S02-T1C-A met BYCHPS
Koop met garantie
NE3512S02-T1C-A
- Onderdeel nummer:
- NE3512S02-T1C-A
- Fabrikant:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Beschrijving:
- HJ-FET NCH 13.5DB S02
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 17937 Pieces
- Data papier:
- 1.NE3512S02-T1C-A.pdf2.NE3512S02-T1C-A.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor NE3512S02-T1C-A, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor NE3512S02-T1C-A per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| Voltage - Test: | 2V |
|---|---|
| Spanning - Nominale: | 4V |
| transistor Type: | HFET |
| Leverancier Device Pakket: | S02 |
| Serie: | - |
| Vermogen: | - |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | 4-SMD, Flat Leads |
| Andere namen: | NE3512S02-T1C-A-ND NE3512S02-T1C-ATR NE3512S02T1CA |
| ruisgetal: | 0.35dB |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | NE3512S02-T1C-A |
| Krijgen: | 13.5dB |
| Frequentie: | 12GHz |
| Uitgebreide beschrijving: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02 |
| Beschrijving: | HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| Huidige score: | 70mA |
| Current - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor NE3512S02-T1C-A
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
CGH55015F1 | Cree/Wolfspeed | FET RF 84V 5.8GHZ 440166 | Onderzoek |
 |
NE3514S02-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Onderzoek |
|
NE3511S02-T1C-A | CEL | IC AMP RF LNA 13.5DB S02 | Onderzoek |
|
NE3515S02-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Onderzoek |
|
NE3512S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Onderzoek |
 |
NE3510M04-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | Onderzoek |
|
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Onderzoek |
 |
NE3517S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | Onderzoek |
|
NE3511S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Onderzoek |
|
NE3513M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Onderzoek |
|
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Onderzoek |
|
NE3516S02-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Onderzoek |
|
NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Onderzoek |
|
NE3510M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | Onderzoek |
|
NE3513M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Onderzoek |
|
NE3513M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Onderzoek |
|
NE3515S02-T1C-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog