Kopen SIDC09D60E6 UNSAWN met BYCHPS
Koop met garantie
SIDC09D60E6 UNSAWN
- Onderdeel nummer:
- SIDC09D60E6 UNSAWN
- Beschrijving:
- DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Bevat lood / RoHS non-compliant
- beschikbare kwaliteit:
- 13072 Pieces
- Data papier:
- SIDC09D60E6 UNSAWN.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor SIDC09D60E6 UNSAWN, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor SIDC09D60E6 UNSAWN per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| Spanning - Forward (Vf) (Max) @ Als: | 1.7V @ 20A |
|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Leverancier Device Pakket: | Sawn on foil |
| Snelheid: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Reverse Recovery Time (TRR): | 150ns |
| Packaging: | Bulk |
| Verpakking / doos: | Die |
| Andere namen: | SIDC09D60E6UNSAWN SP000012547 |
| Bedrijfstemperatuur - aansluiting: | -55°C ~ 150°C |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | SIDC09D60E6 UNSAWN |
| Uitgebreide beschrijving: | Diode Standard 600V 20A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| diode Type: | Standard |
| Beschrijving: | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER |
| Current - Reverse Lekkage @ Vr: | 27µA @ 600V |
| Current - gemiddelde gelijkgerichte (Io): | 20A (DC) |
| Capaciteit @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor SIDC09D60E6 UNSAWN
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SIDC03D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER | Onderzoek |
|
SIDC09D60E6Y | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Onderzoek |
|
SIDC09D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Onderzoek |
|
SIDC04D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER | Onderzoek |
|
SIDC06D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Onderzoek |
|
SIDC01D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER | Onderzoek |
|
SIDC09D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | Onderzoek |
|
SIDC03D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER | Onderzoek |
|
SIDC08D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER | Onderzoek |
|
SIDC03D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER | Onderzoek |
|
SIDC03D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog