Kopen SPD07N60S5T met BYCHPS
Koop met garantie
SPD07N60S5T
- Onderdeel nummer:
- SPD07N60S5T
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 19620 Pieces
- Data papier:
- SPD07N60S5T.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor SPD07N60S5T, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor SPD07N60S5T per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 350µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | PG-TO252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Vermogensverlies (Max): | 83W (Tc) |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere namen: | SP000012113 SPD07N60S5XTINTR |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | SPD07N60S5T |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 970pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 600V |
| Beschrijving: | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor SPD07N60S5T
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD07N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK | Onderzoek |
 |
SPD07N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Onderzoek |
|
SPD07N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK | Onderzoek |
|
SPD07N20GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO252 | Onderzoek |
 |
STP8NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 | Onderzoek |
 |
IXFN39N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B | Onderzoek |
|
SPD07N60C3T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK | Onderzoek |
 |
NTMFS4120NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL | Onderzoek |
 |
IRL3803VPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB | Onderzoek |
|
SPD07N20 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO-252 | Onderzoek |
 |
ZVN3310A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog