Kopen SQM120N04-1M7L_GE3 met BYCHPS
Koop met garantie
SQM120N04-1M7L_GE3
- Onderdeel nummer:
- SQM120N04-1M7L_GE3
- Fabrikant:
- Vishay / Siliconix
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 40V 120A TO263
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 15030 Pieces
- Data papier:
- SQM120N04-1M7L_GE3.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor SQM120N04-1M7L_GE3, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor SQM120N04-1M7L_GE3 per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | TO-263 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 1.7 mOhm @ 30A, 10V |
| Vermogensverlies (Max): | 375W (Tc) |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere namen: | SQM120N04-1M7L-GE3 SQM120N04-1M7L-GE3TR SQM120N04-1M7L-GE3TR-ND SQM120N04-1M7L_GE3TR |
| Temperatuur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Standaard Levertijd: | 18 Weeks |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | SQM120N04-1M7L_GE3 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 14606pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 285nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan): | 4.5V, 10V |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 40V |
| Beschrijving: | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor SQM120N04-1M7L_GE3
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Onderzoek |
|
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | Onderzoek |
|
SQM120P06-07L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 | Onderzoek |
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | Onderzoek |
|
SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 | Onderzoek |
|
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Onderzoek |
|
SQM120P04-04L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog