Kopen STU9N65M2 met BYCHPS
Koop met garantie
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±25V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverancier Device Pakket: | IPAK (TO-251) |
Serie: | MDmesh™ |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 900 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vermogensverlies (Max): | 60W (Tc) |
Packaging: | Tube |
Verpakking / doos: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Andere namen: | 497-15046-5 |
Temperatuur: | 150°C (TJ) |
montage Type: | Through Hole |
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikant Onderdeelnummer: | STU9N65M2 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 315pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 650V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan): | 10V |
Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 650V |
Beschrijving: | MOSFET N-CH 650V 5A IPAK |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 5A (Tc) |
Email: | [email protected] |