Kopen FQD2N60CTF_F080 met BYCHPS
Koop met garantie
FQD2N60CTF_F080
- Onderdeel nummer:
- FQD2N60CTF_F080
- Fabrikant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 16117 Pieces
- Data papier:
- FQD2N60CTF_F080.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor FQD2N60CTF_F080, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor FQD2N60CTF_F080 per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | D-Pak |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 4.7 Ohm @ 950mA, 10V |
| Vermogensverlies (Max): | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | FQD2N60CTF_F080 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 235pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 600V |
| Beschrijving: | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 1.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor FQD2N60CTF_F080
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD2N60CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | Onderzoek |
|
FQD2N60TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | Onderzoek |
|
FQD2N80TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK | Onderzoek |
|
FQD2N60CTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A | Onderzoek |
|
FQD2N60CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | Onderzoek |
|
FQD2N80TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK | Onderzoek |
|
FQD2N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | Onderzoek |
|
FQD2N90TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | Onderzoek |
|
FQD2N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | Onderzoek |
|
FQD2N90TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog