Kopen FQD2N60CTM_WS met BYCHPS
Koop met garantie
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverancier Device Pakket: | D-Pak |
Serie: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 4.7 Ohm @ 950mA, 10V |
Vermogensverlies (Max): | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
Packaging: | Tape & Reel (TR) |
Verpakking / doos: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere namen: | FQD2N60CTM_WSTR |
Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
montage Type: | Surface Mount |
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikant Standaard Levertijd: | 6 Weeks |
Fabrikant Onderdeelnummer: | FQD2N60CTM_WS |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 235pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan): | 10V |
Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 600V |
Beschrijving: | MOSFET N-CH 600V 1.9A |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 1.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |