GP1M006A065CH
GP1M006A065CH
Onderdeel nummer:
GP1M006A065CH
Fabrikant:
Global Power Technologies Group
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Leid Free Status / RoHS Status:
Loodvrij / RoHS-conform
beschikbare kwaliteit:
16303 Pieces
Data papier:
GP1M006A065CH.pdf

Invoering

BYCHIPS is de voorraadverdeler voor GP1M006A065CH, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor GP1M006A065CH per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
Kopen GP1M006A065CH met BYCHPS
Koop met garantie

bestek

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Leverancier Device Pakket:D-Pak
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vermogensverlies (Max):120W (Tc)
Packaging:Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatuur:-55°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikant Onderdeelnummer:GP1M006A065CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:1177pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET Feature:-
Uitgebreide beschrijving:N-Channel 650V 5.5A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):650V
Beschrijving:MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments