Kopen GP1M006A065FH met BYCHPS
Koop met garantie
GP1M006A065FH
- Onderdeel nummer:
- GP1M006A065FH
- Fabrikant:
- Global Power Technologies Group
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 16024 Pieces
- Data papier:
- GP1M006A065FH.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor GP1M006A065FH, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor GP1M006A065FH per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | TO-220F |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V |
| Vermogensverlies (Max): | 39W (Tc) |
| Packaging: | Tube |
| Verpakking / doos: | TO-220-3 Full Pack |
| Andere namen: | 1560-1161-1 1560-1161-1-ND |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Through Hole |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | GP1M006A065FH |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 1177pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 650V 5.5A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 650V |
| Beschrijving: | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 5.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor GP1M006A065FH
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M006A065PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK | Onderzoek |
 |
GP1M006A065F | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F | Onderzoek |
|
GP1M006A070F | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 700V 5A TO220F | Onderzoek |
 |
GP1M006A065CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK | Onderzoek |
|
GP1M006A070FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 700V 5A TO220F | Onderzoek |
 |
GP1M009A020HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 200V 9A TO220 | Onderzoek |
|
GP1M008A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 8A IPAK | Onderzoek |
|
GP1M005A050HS | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4A TO220 | Onderzoek |
|
GP1M005A050CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog