GP2M005A060FG
GP2M005A060FG
Onderdeel nummer:
GP2M005A060FG
Fabrikant:
Global Power Technologies Group
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F
Leid Free Status / RoHS Status:
Loodvrij / RoHS-conform
beschikbare kwaliteit:
13519 Pieces
Data papier:
GP2M005A060FG.pdf

Invoering

BYCHIPS is de voorraadverdeler voor GP2M005A060FG, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor GP2M005A060FG per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
Kopen GP2M005A060FG met BYCHPS
Koop met garantie

bestek

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Leverancier Device Pakket:TO-220F
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Vermogensverlies (Max):32.8W (Tc)
Packaging:Tube
Verpakking / doos:TO-220-3 Full Pack
Andere namen:1560-1200-1
1560-1200-1-ND
Temperatuur:-55°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:Through Hole
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikant Onderdeelnummer:GP2M005A060FG
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:658pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET Feature:-
Uitgebreide beschrijving:N-Channel 600V 4.2A (Tc) 32.8W (Tc) Through Hole TO-220F
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):600V
Beschrijving:MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:4.2A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments