GP2M005A060PGH
GP2M005A060PGH
Onderdeel nummer:
GP2M005A060PGH
Fabrikant:
Global Power Technologies Group
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
Leid Free Status / RoHS Status:
Loodvrij / RoHS-conform
beschikbare kwaliteit:
12760 Pieces
Data papier:
GP2M005A060PGH.pdf

Invoering

BYCHIPS is de voorraadverdeler voor GP2M005A060PGH, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor GP2M005A060PGH per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
Kopen GP2M005A060PGH met BYCHPS
Koop met garantie

bestek

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Leverancier Device Pakket:I-Pak
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Vermogensverlies (Max):98.4W (Tc)
Packaging:Tube
Verpakking / doos:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere namen:1560-1202-1
1560-1202-1-ND
Temperatuur:-55°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:Through Hole
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikant Onderdeelnummer:GP2M005A060PGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:658pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET Feature:-
Uitgebreide beschrijving:N-Channel 600V 4.2A (Tc) 98.4W (Tc) Through Hole I-Pak
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):600V
Beschrijving:MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:4.2A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments