Kopen SPD04N60S5BTMA1 met BYCHPS
Koop met garantie
SPD04N60S5BTMA1
- Onderdeel nummer:
- SPD04N60S5BTMA1
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 15485 Pieces
- Data papier:
- SPD04N60S5BTMA1.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor SPD04N60S5BTMA1, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor SPD04N60S5BTMA1 per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 200µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | PG-TO252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Vermogensverlies (Max): | 50W (Tc) |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere namen: | SP000313946 |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | SPD04N60S5BTMA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.9nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 600V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 600V |
| Beschrijving: | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor SPD04N60S5BTMA1
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD04P10PGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3 | Onderzoek |
|
SPD04N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK | Onderzoek |
|
SPD04N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252 | Onderzoek |
|
SPD04N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK | Onderzoek |
|
SPD04N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK | Onderzoek |
|
SPD04N50C3T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK | Onderzoek |
 |
IPI90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 | Onderzoek |
|
SPD04N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252 | Onderzoek |
 |
NTA4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 | Onderzoek |
 |
SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Onderzoek |
 |
IXFK88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO-264 | Onderzoek |
|
SPD04P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3 | Onderzoek |
|
SPD04N80C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A TO-252 | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog