Kopen SPP11N60CFDXKSA1 met BYCHPS
Koop met garantie
SPP11N60CFDXKSA1
- Onderdeel nummer:
- SPP11N60CFDXKSA1
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
- Leid Free Status / RoHS Status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- beschikbare kwaliteit:
- 12385 Pieces
- Data papier:
- SPP11N60CFDXKSA1.pdf
Invoering
BYCHIPS is de voorraadverdeler voor SPP11N60CFDXKSA1, we hebben de voorraden voor directe verzending en ook beschikbaar voor langdurige levering. Stuur ons uw aankoopplan voor SPP11N60CFDXKSA1 per e-mail, we geven u een beste prijs volgens uw plan.
bestek
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 500µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | PG-TO220-3-1 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 440 mOhm @ 7A, 10V |
| Vermogensverlies (Max): | 125W (Tc) |
| Packaging: | Tube |
| Verpakking / doos: | TO-220-3 |
| Andere namen: | SP000681042 SPP11N60CFD SPP11N60CFD-ND SPP11N60CFDIN SPP11N60CFDIN-ND SPP11N60CFDX SPP11N60CFDXK |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Through Hole |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | SPP11N60CFDXKSA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Uitgebreide beschrijving: | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 650V |
| Beschrijving: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor SPP11N60CFDXKSA1
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7658ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | Onderzoek |
 |
SPP11N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Onderzoek |
 |
SPP11N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | Onderzoek |
|
SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | Onderzoek |
|
SPP11N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | Onderzoek |
 |
SI4842BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC | Onderzoek |
 |
RJK0332DPB-01#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK | Onderzoek |
 |
CPMF-1200-S080B | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE | Onderzoek |
|
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB | Onderzoek |
|
SPP11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | Onderzoek |
 |
AO6403 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 6A 6TSOP | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog